1）用某種離子在固定電壓下去轟擊不同的靶材，s會隨元素周期表的族而變化。反之，靶材種類確定，用不同種類的離子去轟擊靶材，s也隨元素周期表的族作周期性變化。

2）S隨入射離子的能量（即加速電壓V）的增加而單調(diào)地增加。不過，V有臨界值（一般為10V）。在10V以下時(shí)，S為零。當(dāng)電壓≥10KV時(shí)，由于入射離子會打入靶中，S反而減少了。

3）對于單晶靶，s的大小隨晶面的方向而變化。因此，被濺射的原子飛出的方向是不遵守余弦定律的，而有沿著晶體的最稠密面的傾向。

4）對于多晶靶，離子從斜的方向轟擊表面時(shí)，S增大。由濺射飛出的原子方向多和離子的正相反方向相一致。

5）被濺射下來的原子所具有的能量比由真空蒸發(fā)飛出的原子所具有的能量（~0.1eV）大1~2個(gè)數(shù)量級。

混入薄膜中的氣體分子：用濺射法制作的Ni薄膜時(shí)，當(dāng)濺射電壓在100V以下時(shí)，Ar幾乎沒有混入?？墒?，一到100V以上，薄膜中的Ar原子數(shù)急劇增加。